HCD65R320規(guī)格書
Super Junction MOSFET
| Type | N-Ch SJ MOS (S3) |
| Package | D-PAK |
| VDS [V] | 650 |
| ID [A]@25℃ | 12.3 |
| RDS(ON) [Ω] (max.)@VGS=10V | 0.32 |
| VGS(th) [V](min.) | 2 |
| VGS(th) [V](max.) | 4 |
| PD [W]@25℃ | 106 |
| Qg [nC] | 27 |
| EAS [mJ] | 165 |
| Option | ESD Zener |
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：m.pugei.cn
總部地址:廣東省東莞市萬(wàn)江街道華爾泰路2號(hào)五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS
版權(quán)所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號(hào)版權(quán)所有 模仿必究
