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WMO053NV8HGS 是維安(WAYON)推出的低壓 MOS 管產品,專為高效電源管理和快速開關場景設計。以下是其核心特性及行業應用介紹:
基礎規格
封裝形式:TO-252 封裝,支持自動化貼裝,符合工業級可靠性標準。
電壓與電流:漏源電壓(VDS)85V,最大連續漏極電流(ID)達 118A(25℃環境溫度下)。
導通電阻:在 Vgs=10V 時,Rds(on) 最大值為 6.2mΩ,有效降低導通損耗。
柵極驅動:支持 ±20V 的柵源電壓(Vgs),兼容主流驅動電路設計。
性能優勢
采用 功率溝槽 MOSFET 技術,優化了導通電阻與開關效率的平衡,適用于高頻開關場景。
低閾值電壓(VGS(th) 典型值 3V),提升低功耗設備的能效表現。
電源管理
適配器、充電器(如 PD 快充)、儲能系統(BMS)中的高效 DC-DC 轉換模塊。
適用于 65W 及以上功率的快充方案,支持快速開關以減小體積。
工業與消費電子
電機驅動(如小功率電動工具、智能家居設備)的 H 橋電路。
通信設備、LED 驅動等需高電流承載能力的場景。
供應保障
代理商東莞市美瑞電子有限公司,提供現貨庫存及定制化采購服務。
支持樣品申請,交期可縮短至 1 個工作日。
配套型號推薦
同系列互補型號:WMB053NV8HGS(PDFN5*6-8L 封裝)、WMK053NV8HGS(TO-220 封裝),適應不同布局需求。
替代方案參考:WMQ30N03T2、WMB098N03LG2 等中低壓型號,滿足多樣化設計需求。
WMO053NV8HGS 憑借高電流承載、低導通損耗及工業級可靠性,成為電源管理和電機驅動領域的優選器件。